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鄂尔多斯PVPK90哪里有卖

作者: 点击:123 发布时间:2021-02-09

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正是由于直接脱水法需要较高的温度(350~400℃),加之如前所述,难以找到.工业化生产理想的脱水催化剂,所以有人提出了间接脱水法合成NVP的路线.间接脱水法是使NHP分子内的羟基首先被另一基团所取代生成一种中间产物,然后由这个中间产物发生反应生成NVP.

硬而光亮,由于PVP膜是通过溶液浇注或涂布而成的,克服了固体PVP塑性差的不足.PVP薄膜可根据涂布物任意成型,溶剂对形成的PVP膜无影响,利用PVP的成膜性可应用于很多方面.PVP在空气中的吸水率随相对湿度的增大而增大,当PVP薄膜吸水达到--定程度(从相对湿度大于70%的空气中吸水分)时,就会有一定的黏性.PVP吸湿平衡后水分含量大约为相对湿度的三分之一.热化学研究表明,每一个NVP结构单元大约可缔合0.5mol分子的水分,这与蛋白质的吸水性相似.



另一方面,在自由基聚合的链增长过程中随时都会发生链终止反应,对于相同的聚合反应而言,终形成的聚合物平均分子量越大,意味着聚合物分子量的大值越大,而无论聚合物平均分子量大小如何,可以认为其分子量的小值是相等的,所以平均分子量越大,不同分子量的聚合物数量越多,也就是分子量分布越宽。PVP玻璃化温度的存在说明它热塑性较差,不利于热塑性加.工,这是由于构成PVP分子链的结构单元是强极性的,PVP分子间存在极强的偶极间吸引力,



显然,取代NHP分子内经基的基团必须满足---定的条件,即既容易取代NHP分子内的羟基,又要能比较容易地从中间产物分子中脱去.这样,不经过NHP的直接催化脱水,而是通过另外一种中间产物在较温和的条件下同样达到由NHP分子脱水生成产物NVP的目的,同时达到较高的产物收率,所以被称为间接脱水法.间接脱水法根据取代NHP分子内羟基基团的不同,又可分为卤代法、乙酐法等.卤代法是间接脱水法中被研究较好的主要方法,其方法要点是:用--种卤代剂与NHP反应生成卤代乙基吡咯烷酮,然后由卤代乙基吡咯烷酮的热反应得到产物NVP.

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PVP是在二战期间作为人造血浆增溶剂而被研究发明的,随即,人们发现PVP及其单体NVP尤其是PVP不仅具有优异的溶解性、化学稳定性、成膜性、低毒性、生理惰性、黏接能力与保护胶作用,还可与许多无机、化合物结合,因而,PVP面世至今,逐渐被广泛地用于医药、化妆品、食品、酿造、涂料、黏接剂、印染助剂、分离膜,感光材料等领域.如在医药工业中,PVP与结合形成的PVP-I是优良的剂,具有与I,-酒精溶液同等的能力而又不会对皮肤产生刺激性,也不会对生物体产生毒性。



从NVP水解机理来看,NVP能否发生水解主要依赖于一步一系列过渡态是否可以形成,或者说NVP分子内异构化反应能否发生是NVP是否发生水解的关键。溶液中H*或者碱金属阳离子的存在正好使NVP的分子内异构化得以实现,所以NVP的水解得以进行.NVP的水解速率主要取决于第二步,当K’存在时,会与一步生成的吡咯烷酮反应首先生成吡咯烷酮钾盐,然后再与NVP进行加成反应.



在这-一方法的研究报道中,大多数是关于α-NHP脱水反应的脱水催化剂的,反映了脱水催化剂在这-一-方法中的重要性.NVP的合成方法除主要的乙炔法和y丁内酯法外,还有其他合成方法,如以吡咯烷酮和乙烯在钯催化剂的作用下反应直接生成NVP的吡咯烷酮法等,所有这些合成方法都将在后面的有关章节中作专门的介绍和论述.NVP的水解机理,通过进一步研究,得到丙烯酸或KSO存在下NVP的水解机理.

在卤代法中, 重要的是卤代剂的选择,不少研究工作证明,氯化亚飙(SOC1,)可作为卤代剂129},用SOCI。首先是羟乙基吡咯烷酮在溶剂苯中与SOCl,发生卤代反应生成氯乙基吡咯烷酮,然后用KOH或甲醇钠作催化剂脱去一分子氯化氢生成NVP,反应的实施过程如下:( 1 )NHP和苯按重量比1:0.5~0.8加人三颈烧瓶中,再把烧瓶置于加有冰块的超级恒水浴中,边搅拌,边由滴液漏斗滴加入重量为NHPO.83倍的SOCl ,控制速度使体系温度不大于35℃为宜(因为羟乙基吡咯烷酮与SOCl之间的反应为强放热反应),滴加完毕后继续搅拌4h,此时NHP的转化率已达90%以上,将反应装置接到SO。

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根据引发手段NVP的聚合又可分为自由基聚合、离子引发聚合、光引发聚合等.正是由于NVP聚合方式的多样性,决定了PVP产品的多样性,使得生产满足各种用途的PVP产品成为可能.每年仅NVP的聚合及其相关的应用研究的研究论文及申请的专利就达两百篇以上.。NVP的物理性质NVP是N-乙烯基吡咯烷酮的简称,是合成PVP的单体.NVP常温下是一种无色或者淡黄色,略有气味的透明液体,易溶于水,其主要的物理性质如下:相对密度:1.04(25℃时;熔点:13.5℃;沸点:148℃13332.24Pa,58~65C13.3~26.64Pa;闪点:98.33℃;